AppCAD是一款阻抗分析软件，你可以在设计CAD项目的时候分析阻抗数据，该软件可以分析的项目很多，软件主页提供多个项目可以直接打开使用，内置参考的设备图形以及物料图形，你可以通过软件的提示输入计算的数值，对于分析关键性的参数很有帮助；AppCAD可以计算的参数很多，你可以查看增益，稳定性，反射损耗，匹配阻抗等参数，并且计算的参数可以显示为矩形图，在史密斯圆图或极坐标图上直接显示，也可以作为数字结果保存到表格！
软件功能
大信号检测器
该大信号检测器模块可在任何温度下计算肖特基二极管检测器的输出电压与输入功率。可以绘制输出电压和检测器电压灵敏度与输入功率的关系。
该应用计算具有高输入功率的肖特基二极管检测器的输出电压和电压灵敏度与输入功率，其中二极管产生自己的偏置电流。大信号检测器通常在-20dBm或更高的输入功率水平下工作。
电流偏置RFIC
该模块可计算电流偏置RFIC（如Avago MSA系列）的元件值和偏置性能。计算基于用户的频率和设计规则的选择。计算电流调节电阻，隔直电容和旁路电容的值。用户可以为组件选择数学正确值或行业标准值。
对最大，最小和室温下的器件电流进行分析。还计算了三种温度下的器件功耗和结温。
其他计算包括：电流调节电阻消耗的功率和偏置元件的损耗贡献，包括可选的RF扼流圈。
复杂数学计算器
许多类型的RF分析使用复数来表示诸如归一化阻抗，导纳，信号相量和传输线之类的参数。用于RF的复杂数学计算器是一种快速且易于使用的分析工具，用于使用复数进行计算。
还提供了几种基本的RF电路操作 - 包括串并转换和等效电路计算。
使用计算器
所有复杂的数学计算都以矩形（实部和虚部）形式进行。提供从极性到矩形的转换，反之亦然。
微带传输线计算器
该模块计算微带传输线的特征阻抗。 Zo计算基于传输线的物理尺寸和材料介电常数。
AppCAD内置了大量介电材料库，可简化设计人员的基板选择任务，而无需查找材料常数。 还提供下拉列表以选择频率，角度和长度单位。
参数定义
分析所有S参数中使用的参数。 参数按“缩放选择参数”树中的缩写和外观顺序列出。 每个参数可用的显示类型显示在每个参数类型后面的方括号中。 括号中参数的单位
S参数文件格式
S参数文件的行业标准格式由Agilent Technologies的EEsof Division创建。
稳定性评论
稳定性分析是设计两个放大器（稳定性 - 良好）以及振荡器（稳定性 - 差）的重要步骤。 稳定性分析的目的是检查电路或设备的振荡趋势。 AppCAD的Everything S-Parameters模块可用于快速，轻松地计算用于分析RF /微波/无线电路的常用稳定性因子。
•经典稳定因子
确定稳定性的经典参数是Rollett的[1] K因子。 K因子本身是必要的，但不足以确定稳定性。 附加项，通常是稳定性测量值B1，需要与K一起使用。这两个因子都来自S参数，需要无条件稳定性
软件特色
射频电路的复数计算
使用RF复杂数学计算器的RF电路计算的一些示例是：
•系列ßà平行转换
•从Z或Y计算等效的R-L-C电路
•从等效的R-L-C电路计算Z或Y.
•将Z或Y转换为反射系数或v.v.
•阻抗匹配需要更高的精度，而不是使用史密斯圆图获得。
•极坐标到矩形的转换和v.v.
•复杂负载的回波损耗，SWR，失配损耗。
•射频/微波电路和传输线教育工具。
系统数据字段：
Zo - 电路计算的特征阻抗（欧姆）。
哟 - 特征准入（西门子）。 Yo不是数据输入字段，而是从Zo自动计算。
频率 - 电路计算的频率。从下拉列表中选择频率单位。
射频操作员密钥
ZàG - 将x中的阻抗转换为系数特征阻抗Zo的反射系数。
GàZ - 将x中的反射系数转换为Zo的系统特征阻抗的阻抗。
R到P（度） - 将矩形x（实数和虚数）转换为极坐标x作为幅度和角度（度）。
P（度）到R - 将极坐标x的大小和角度（度）转换为矩形x（实数和虚数）。
RCL Zo到x - 调用输入到字段Zo到x的特征阻抗。
RCL Yo to x - 回顾字段Yo到x中显示的特征准入。 （注意：Yo是从Zo自动计算的）
安装方法
1、下载appcad直接启动，这里是软件的安装提示界面，等待数据加载完毕
2、显示安装欢迎界面，点击next继续安装
3、提示安装的协议内容，勾选同意协议，点击next
4、显示软件的一些配置说明，点击下一步
5、弹出安装准备界面，点击install执行安装
6、这里是软件的安装进度界面，请稍后
7、显示软件安装成功，点击finish
使用方法
1、打开appcad软件，提示一个启动的界面，等待软件启动完毕
2、这里是软件的主页，你可以在左边找到需要建立的阻抗方案，可以点击一个项目进入设计界面
3、如图所示。这里就是一个新的项目设计内容，你可以在下方查看到相关的设计内容
4、输出功能。将矩形图复制到剪贴板作为矢量、将矩形图复制为剪贴板作为位图、将史密斯圆图复制到剪贴板作为矢量
5、 Example: Duplexer是实例，稳定性分析、查看SnP文件内容、三种偏压下的RFIC、获得差异
6、你应该点击帮助查看官方提供的设计教程
7、回到主页，继续点击新的项目，鼠标点击就可以打开新的设计界面
8、如图所示，这里是Stripline的分析界面，下方提供图纸，可以输入参数
9、选择AppCAD智能格式以智能工程格式自动显示结果。
10、一些AppCAD模块计算电阻器，电容器或电感器的值。 您可以选择以数学方式或最接近的行业标准值显示组件值。
11、多个AppCAD应用程序计算RF旁路电容的值。 乍一看，似乎电容值越大越好。 然而，过高的值电容器可能引入不希望的错误
11、点击Return to Main Menu就可以回到软件主页，重新打开设计项目
使用说明
双极基极偏压
这是做什么的？
基于系统电源电压，目标集电极电流和晶体管参数，基极偏置计算双极晶体管的非稳定偏置网络的电阻值。
然后分析偏置电路以计算三个温度和三个hFE值的集电极电流矩阵。然后对集电极电流进行稳定性分析，以计算Icbo，Vbe和hFE晶体管参数的温度变化的影响。
针对最坏情况的工作条件计算最大晶体管结温。
电阻值可选地计算为数学正确或作为用户选择元件容差的行业标准元件值。
该应用计算双极晶体管的非稳定偏置网络的电阻值。然后分析所得电路的三个hFE值的集电极电流随温度的变化。
稳定性分析检查晶体管Icbo，Vbe和hFE参数的温度变化对集电极电流的影响。稳定性分析对于比较各种偏置电路的性能特别有用，以便在电路复杂性和电气性能方面进行权衡。
使用晶体管热阻和用户外壳温度计算最差工作条件下的最大晶体管结温。
用户输入参数：
设计目标：
目标集电极电流（Ic）
系统供电电压（Vcc）
所需的晶体管集电极 - 发射极电压（Vce）
晶体管参数：
典型的，最小的和最大的hFE
晶体管Icbo在25°C
晶体管热阻
最低，25°C和最高分析温度
设计规则（提供默认值）：
发射极电压降（Vbe）在25°C
hFE的温度系数
Vbe的温度系数
Icbo随温度变化的因素
计算参数：
偏置电路：
基极和集电极电阻值
总供电电流（Icc）
收藏家当前：
Ic的矩阵用于三个hFE值和三个温度
最大与最小Ic的比率（最坏情况下的温度和hFE）
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